Компании Intel и SoftBank сообщили о совместной работе над созданием высокоскоростной памяти нового поколения Z-Angle Memory (ZAM), предназначенной для систем искусственного интеллекта. Ожидается, что в будущем эта разработка сможет составить конкуренцию памяти HBM.
В проекте участвует Saimemory — дочерняя структура SoftBank, созданная в декабре 2024 года. Речь идет о создании многослойной DRAM-архитектуры с вертикальным расположением элементов. Основные задачи — повышение плотности и скорости передачи данных в чипах памяти относительно HBM при одновременном сокращении энергозатрат.
В основе проекта ZAM лежат наработки, полученные в рамках программы перспективных технологий памяти AMT (Advanced Memory Technology), курируемой Министерством энергетики США (DOE) и Национальной администрацией по ядерной безопасности (NNSA). В программе задействованы Сандийские национальные лаборатории (SNL), Ливерморская национальная лаборатория им. Лоуренса (LLNL) и Лос-Аламосская национальная лаборатория (LANL) в структуре DOE. Планируется применение технологии сборки Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB), которая, как заявляется, существенно улучшает производительность DRAM, сокращает энергопотребление и оптимизирует стоимость памяти.
Источник изображения: TechPowerUp
В целом, в сотрудничестве Intel и Saimemory ставят цель увеличить емкость модулей памяти в 2–3 раза по сравнению с современными решениями HBM, снизить энергопотребление на 40–50% и сохранить при этом приемлемую цену. Ожидается, что появление ZAM поможет решить ключевые проблемы масштабирования высокопроизводительных ИИ-систем. Работы над новой памятью стартуют в текущем квартале. Презентация прототипов намечена на 2027 год, а выход коммерческих продуктов — на 2030 год.
Источники: