Kioxia и SanDisk, сотрудничающие в рамках совместного предприятия по выпуску NAND-флеш-памяти, придерживаются разных взглядов на архитектуру High-Bandwidth Flash (HBF), которую поддерживает SK hynix. При этом, в отличие от SanDisk, представившей эту технологию в 2024 году, Kioxia сохраняет нейтралитет и предлагает собственный архитектурный подход, сообщает Blocks & Files.
Сложность заключается в том, что SanDisk не располагает собственными мощностями для производства пластин — выпуск пластин с памятью HBF NAND она сможет организовать через СП с Kioxia. Однако маловероятно, что это совместное предприятие будет изготавливать пластины HBF NAND исключительно для нужд SanDisk.
В 2026 году SanDisk и SK hynix положили начало консорциуму по стандартизации спецификаций HBF, открыли соответствующее рабочее направление в рамках OCP и опубликовали первые открытые технические спецификации, затрагивающие такие вопросы, как стеки кристаллов NAND (8 или 16 кристаллов в стеке ёмкостью до 512 Гбайт), показатели пропускной способности (примерно 0,4–3,0 Тбайт/с), интерфейс UCIe, особенности корпусировки, параметры надёжности и рекомендации по программному обеспечению.
Источник изображения: SanDisk
В октябре компания SanDisk объявила о том, что технология HBF преодолела значимую веху — состоялся выпуск (tape-out) первого кристалла памяти HBF. В то же время поставки образцов первых изделий на основе HBF, как и прежде, ожидаются в следующем календарном году.
Тем не менее Kioxia решила не вступать в консорциум HBF. Согласно информации издания Nikkei, компания намерена задействовать быстродействующую память NAND в сочетании с CXL в качестве альтернативы DRAM, что даст возможность уменьшить задержку при считывании данных более чем в десять раз относительно традиционных решений на базе NAND. В августе 2025 года Kioxia продемонстрировала прототип флеш-модуля большой ёмкости (5 Тбайт) с высокой пропускной способностью (64 Гбайт/с), ориентированного на периферийные системы, а не на GPU-серверы в ЦОД.
Его архитектура предполагает последовательное соединение блоков флеш-памяти, а не их многослойную компоновку, с последовательной же передачей сигналов, а не параллельной (как в HBF). Иными словами, Kioxia делает ставку на последовательное соединение без вертикального стекирования слоёв, тогда как SanDisk и SK hynix отдают предпочтение стекированию слоёв с использованием параллельных соединений через сквозные кремниевые контакты (TSV).
SanDisk обдумывает запуск собственного выпуска памяти. В апреле текущего года TrendForce со ссылкой на ETNews проинформировала, что SanDisk приступила к взаимодействию с поставщиками материалов, компонентов и оборудования ради организации пилотной линии для производства прототипов HBF, а в качестве главного претендента на роль производственной площадки рассматривается Япония. Предполагается, что пилотная линия начнёт работу ближе к концу года, а старт серийного выпуска запланирован на 2027 год.
Если вы обнаружили ошибку — выделите её мышью и нажмите CTRL+ENTER. | Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам.
Материалы по теме:
- Чтение до 20 млн IOPS: Kioxia продемонстрировала SSD GP1 на базе XL-Flash третьего поколения
- SK hynix предлагает гибридную память HBM/HBF для ускорения ИИ-инференса
- Kioxia и NVIDIA создают SSD нового типа для ИИ-систем как альтернативу HBM
- Плата Banana Pi BPI-RT2 предназначена для маршрутизаторов с Wi-Fi 6
- На eBay выставили подержанный суперкомпьютер за $60 миллионов
Было интересно? Сообщите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости и обзоры
Источник: