На выставке Embedded World 2026 в Нюрнберге (Германия), состоявшейся с 10 по 12 марта, компания Everspin Technologies представила новое семейство магниторезистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом (MRAM) под названием Unisyst, созданное специально для встраиваемых систем.
Сообщается, что в основе решений Unisyst лежит унифицированная архитектура MRAM, которая совмещает функции обычной оперативной памяти и высокоплотного постоянного хранилища. Первоначально чипы этой серии будут выпускаться с ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Для обмена данными используется последовательный интерфейс xSPI с восемью линиями, работающий на частоте 200 МГц.
Источник изображения: Everspin Technologies
Устройства семейства Unisyst будут соответствовать стандарту надёжности AEC-Q100 Grade 1. Они обеспечивают сохранность данных как минимум на протяжении 10 лет и способны работать в широком диапазоне температур. Скорость чтения достигает 400 МБ/с, а записи — около 90 МБ/с. По заявлению Everspin Technologies, это более чем в 400 раз быстрее, чем у памяти типа NOR Flash.
Продукция Unisyst предназначена для применений, где необходима энергонезависимая память с высокой пропускной способностью, долговечностью и стабильной работой при температурных колебаниях. К основным областям использования отнесены автомобилестроение, аэрокосмическая и промышленная сферы, а также периферийные устройства с искусственным интеллектом.
Инженерные образцы чипов MRAM Unisyst станут доступны в четвёртом квартале 2026 года. В дальнейшем компания Everspin Technologies планирует расширять данное семейство продуктов.
Источник: